赤堀 誠志 | 北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
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概要
関連著者
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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山田 省二
北陸先端大
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
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掛川 智康
北陸先端大ナノセンター
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
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岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセンター
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岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセ
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本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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赤堀 誠志
北陸先端科技大院ナノテクセンター
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Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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赤堀 誠志
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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森本 幸作
北陸先端大ナノセンター
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鈴木 寿一
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 新素材センター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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韋 威
北陸先端大ナノセンター
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佐藤 拓
JAIST
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本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
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韋 威
北陸先端大ナノセ
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森本 幸作
北陸先端大ナノセ
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新田 峻介
北陸先端大ナノセ
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工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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佐藤 拓
北陸先端大ナノセンター
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日高 志郎
北陸先端大ナノセンター
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新田 峻介
北陸先端大ナノセンター
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北 智洋
東北大通研
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工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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高増 正
物材機構
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今中 康貴
物材機構
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Choi H.
北陸先端大ナノセンター
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今中 康貴
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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高増 正
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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石原 崇章
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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中島 史人
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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入澤 知輝
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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近藤 太郎
北陸先端大ナノセンター
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片山 智之
北陸先端大ナノセンター
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岩瀬 比宇麻
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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TRINH Thanh
北陸先端科学技術大学院大学
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SCHAPERS Thomas
ユーリッヒ研究所
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HARDTDEGEN Hilde
ユーリッヒ研究所
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佐藤 拓
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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Guzenko V.
ユーリッヒ研
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Choi Hyonkwan
北陸先端大ナノセンター
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橘田 芳仁
北陸先端大ナノセンター
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則内 崇
北陸先端大ナノテクセンター
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北 智洋
北陸先端大材料
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滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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橋本 紀彦
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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大西 孝史
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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廣島 大三
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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宮本 高志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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谷藤 望
住金セラミックスアンドクオーツ(株)
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松田 泰明
住金セラミックスアンドクオーツ(株)
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南 正克
北陸電気工業(株)
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本木 幹三
北陸電気工業(株)
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広瀬 茂
北陸電気工業(株)
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鈴木 克繁
北陸先端大ナノテクセンター
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北 智洋
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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掛川 智康
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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牛頭 信一郎
NICT
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原 真二郎
北海道大学大学院情報科学研究科
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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石崎 順也
北大量子界面エレクトロニクス研
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石崎 順也
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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原 真二郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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掛川 智康
北陸先端科学技術大学院大学
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片山 智之
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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森本 幸作
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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王 建
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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Shih Hong-an
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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北 智洋
北陸先端大、新素材センター
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SHIH Hong-An
北陸先端科学技術大学院大学
著作論文
- 23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-3 ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 21aYC-7 狭ギャップヘテロ接合2次元電子ガスチャネルにおけるRashbaスピン軌道相互作用のサイドゲート制御(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 原子間力顕微鏡用GaAs/セラミックス複合型カンチレバーの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 13aYB-8 NiFe/InGaAs 接合を有する二端子素子のスピン伝導特性(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 20pTL-4 InAs/In_Al_As 変調ドープヘテロ構造を利用した NiFe/2DEG 接合のスピン伝導特性
- 20pTL-3 高 In 組成 InGaAs/InAlAs 拡散的細線における Rashba effect
- 半導体1次元構造におけるスピン軌道相互作用に関連したスピン伝導(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
- 26aWQ-6 InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 (電子デバイス)
- 26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-8 CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-7 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-10 InGaAs 2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-9 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)