26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
森本 幸作
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
韋 威
北陸先端大ナノセンター
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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片山 智之
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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韋 威
北陸先端大ナノセ
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
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森本 幸作
北陸先端大ナノセ
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岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセ
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
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山田 省二
北陸先端大
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