13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセ

• 赤堀 誠志

  北陸先端大ナノセンター

• 掛川 智康

  北陸先端大ナノセンター

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端大ナノセ

• 山田 省二

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター

• 山田 省二

  北陸先端大

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