22pYK-6 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセンター
-
崔 賢光
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
崔 賢光
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
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