高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合では強いRashba型(構造依存の)スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス(2DEG)が形成される.本報告では,そのような2DEGを近接して2層形成した幅広量子井戸試料を初めて作製し,温度変化磁気抵抗解析により、サブバンド(電子層)毎の電子濃度,電子有効質量,さらにはスピン軌道結合定数の評価に成功したことを報告する.その結果、この2層系の試料でも1層系に匹敵する高電子移動度と強いスピン軌道相互作用(極低温)が確認された。また、それらのパラメータの2DEG層間距離依存性において、層間相互作用を示唆する結果も得られている。これらの成果は新しい半導体スピン工学デバイスの提案・開発に繋がるものである。
- 2011-07-22
著者
-
森本 幸作
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 新素材センター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
片山 智之
北陸先端大ナノセンター
-
片山 智之
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
森本 幸作
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
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