非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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高In組成(75%)InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス試料表面にCo_<0.8>Fe_<0.2>電極を複数配置した横方向スピンバルブ素子において、非局所配置(構成)によるスピン注入実験を行い、従来の報告より3倍程度も改善された、CoFe-InGaAs界面スピン偏極率(〜5.7%)とスピン拡散長(〜5.1μm)を確認した。これは約11%のスピン注入効率に相当する。このような結果が得られた要因としては、採用した試料でほぼ実現されているPersistent spin helix (PSH)と言われる条件下で、スピン軌道相互作用によるスピン緩和が起こりにくくなっていること、界面InGaAs層が良質で、低抵抗かつスピンフリップ散乱が少ないこと等が推定できる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
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山田 省二
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
日高 志郎
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
近藤 太郎
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
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