GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AINスパッタ堆積とAl_2O_3原子層堆積を用い,GaAs(001)上絶縁膜の検討を行った.さまざまな表面前処理を施したGaAs(001)基板上に堆積されたAlNとAl_2O_3に対し,X線光電子分光(XPS)によって界面の結合状態を評価した.また,GaAs金属-絶縁体-半導体(MIS)構造の電気的評価を行った.I-V特性評価から,AIN/GaAs(001)MIS構造,Al_2O_3/GaAs(001)MIS構造ともに良好な絶縁性を示すことがわかった.一方,C-V特性評価からは,ともに絶縁膜/GaAs(001)界面準位に起因する周波数分散が観測された.この周波数分散は,AlN/GaAs(001)MIS構造でより顕著であり,また,硫黄による表面前処理によって減少する傾向があることがわかった.Al_2O_3/GaAs(001)では周波数分散とGa-O結合との相関が見られるが,AlN/GaAs(001)では相関が見られなかった.
- 2011-07-22
著者
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
-
工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
Shih Hong-an
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
SHIH Hong-An
北陸先端科学技術大学院大学
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