AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)は,高電流駆動能力.高耐圧に基づく高出力動作が可能な能動デバイスとして期待されている.しかし,高電流・高電圧動作においては,ジュール電力にともなう自己発熱によってチャネル温度が上昇し,デバイス特性が低下する場合がある.このデバイス特性低下は,チャネル温度上昇にともなうチャネル電子速度の低下に起因するものであると考えられているが,この現象をより詳しく理解することは重要である.本報告では,AlGaN-GaN HEFTおける自己発熱によるチャネル電子速度低下率を解析する手法を提案する.この手法は,自己発熱による負のトレインコンダクタンスを有する定常状態出力特性に適用可能なものであり,これによってチャネル電子の平均速度の低下率がジュール電力の関数として得られる.この手法の有効性を実際のデバイスへの適用を通じて検証し,異なったデバイス構造に基づく放熱特性の差異が電子速度低下率の差異をもたらしていることを明らかにする.
- 2010-06-10
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