スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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本研究では、スパッタリング堆積BNゲート絶縁膜を用いたBN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ(MIS-HFET)の検討を行った。RFマグネトロンスパッタリング堆積により得られたアモルファスBN膜を用いたMIS-HFETは、BN膜の良好な絶縁特性を示唆する非常に低いゲートリーク電流を示し、負のドレインコンダクタンスをほとんど示さなかった。デバイス特性とその温度依存性を調べた結果、温度上昇にともなうドレイン電流の減少とゲート電流の増加が観測された。低電界領域でのドレイン電流の相対的な低下は高電界領域のものと比べて大きく、これは低・高電界領域での電子速度の温度依存性と整合している。また、ゲートリーク電流の温度依存性は、熱的に活性化したトンネリングと直接的なトンネリングの機構で説明される。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
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工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
Shih Hong-an
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山本 裕司
北陸先端科学技術大学院大学
-
NGUYEN Tuan
北陸先端科学技術大学院大学
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