GaAs基板上InGaAsメタモルフィックHEMT作製と特性のIn組成依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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GaAs基板上のメタモルフィツクInGaAsデバイスは,InP基板上のInGaAsデバイスの代替としてのみならず,In組成をデバイス設計パラメータとして自由に選べるという点で重要である.我々は,GaAs基板上InGaAsチャネルメタモルフィツクHEMTを作製し,その特性のIn組成依存性を調べた.その結果,以下のことが示された.(1)In組成とともに増加する電子移動度は,Г谷の有効質量の減少で説明される.(2)高周波特性の遅延時間解析から得られた電子飽和速度は,移動度同様In組成とともに増加するが,この増加においては,L谷とX谷における電子密度減少の効果が大きいと考えられる.(3)以上の電子輸送特性に関しては,高密度の結晶欠陥(貫通転位と積層欠陥)の影響は見られない.(4)衝突イオン化現象を特徴付ける電界強度は,In組成の増加とともに減少する.(5)衝突イオン化によって生成されたゲート正孔電流と,これによって定義されたオン耐圧は,再結合中心である結晶欠陥の影響を受けていると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-05
著者
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
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小野 秀樹
ソニー(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー新機能デバイス開発部
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谷口 理
ソニー(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー新機能デバイス開発部
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