会極接合を用いたGaNパワー素子
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-10-27
著者
-
河合 弘治
株式会社パウデック
-
住田 行常
株式会社パウデック
-
八木 修一
株式会社パウデック
-
中島 昭
産業技術総合研究所
-
住田 行常
パウデック
-
八木 修一
パウデック
-
河合 弘治
パウデック
-
DHYANI Mahesh
シェフィールド大学
-
NARAYANAN E.
シェフィールド大学
関連論文
- C-10-13 マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-16 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのサブスレショルドスロープ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード (レーザ・量子エレクトロニクス)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード (電子部品・材料)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード (電子デバイス)
- SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるサブスレショルド特性のゲート電極依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaN自立基板を用いた縦型ダイオード
- 会極接合を用いたGaNパワー素子
- 分極接合を用いたGaNパワー素子