GaN基板結晶成長技術の最近の進展(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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窒化物系高出力レーザや高輝度LEDの開発に期待されているGaN基板結晶の作製方法には、大きく分けて溶液成長と気相成長がある。溶液成長では、低転位密度の基板結晶が得られるが、大面積化、生産性に課題がある。気相成長では、HVPE(hydride vapor phase epitaxy)法により数百μmの厚いGaN層を成長させて基板を剥離する自立基板作製が中心である。溶液成長に比較して穏やかな成長条件で行われるが、大面積剥離、転位の低減が必要である。これらGaNバルク結晶技術の最近の進展について述べるとともに、その特徴や技術的課題についてまとめる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
小林 憲司
日本電気(株)基礎研究所
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碓井 彰
日本電気(株)基礎研究所
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砂川 晴夫
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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山口 敦史
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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碓井 彰
Nec光・超高周波デバイス研究所
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山口 敦史
金沢工大 ものづくり研
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砂川 晴夫
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
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碓井 彰
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
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