非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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非極性InGaN量子井戸の偏光特性の実験データから材料パラメータを逆算的に求める解析手法を開発した。その手法に基づいてこれまでに様々な研究機関から報告されている実験データを実際に解析した。その結果、青色〜緑色発光のInGaN量子井戸ではc面から30〜40°傾いた基板面方位の量子井戸において、負の偏光度(へき開面を共振器ミラーに用いるのに有利な偏光特性)が強く現れること、及び、この偏光特性がIn組成の高いInGaN量子井戸では、より高角の半極性基板上でも現れることが予測された。
- 2010-11-04
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