山口 敦史 | 金沢工業大学ものづくり研究所

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概要

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関連著者

• 山口 敦史

  金沢工業大学ものづくり研究所

• 山口 敦史

  金沢工業大学 ものづくり研究所

• 小島 一信

  京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻

• 小島 一信

  京都大学 工学研究科電子工学専攻

著作論文

• 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体量子井戸の偏光特性
• 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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