石賀 章 | 三重大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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平松 和政
三重大 工
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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柴田 智彦
日本ガイシ
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田中 光浩
日本ガイシ
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劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
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柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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大西 孝
三重大学工学部電気電子工学科
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桑野 範之
九州大学産学連携センター
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原口 雅也
九州大学総合理工学府
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福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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福井 一俊
福井大fir
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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柴田 泰宏
三重大学工学部
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只友 一行
三菱電線工業
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大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
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濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
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安川 浩範
三重大学工学部
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木田 喜啓
三重大学工学部
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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増田 規宏
三重大学工学部電気電子工学科
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劉 玉懐
三重大学SVBL
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桑野 範之
九州大学
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石賀 章
三重大・工
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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平松 和政
三重大学
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大・工
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三宅 秀人
三重大
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元垣内 敦司
三重大・工
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三宅 秀人
三重大・工
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福井 一俊
福井大 工
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Liu Y.
SVBL
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柴田 智彦
三重大・工
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安川 浩範
三重大
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木田 喜啓
三重大
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平松 和政
三重大
著作論文
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)