劉 玉懐 | 三重大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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平松 和政
三重大 工
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劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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柴田 智彦
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日本ガイシ株式会社
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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大西 孝
三重大学工学部電気電子工学科
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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桑野 範之
九州大学産学連携センター
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原口 雅也
九州大学総合理工学府
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中村 淳
中部キレスト(株)
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阿部 晃久
三重大学工学部電気電子工学科
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南部 信義
中部キレスト長岡技科大
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小出 晋也
三重大学工学部電気電子工学科
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中村 和哉
三重大学工学部電気電子工学科
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辻澤 健一
三重大学工学部電気電子工学科
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田鍋 智章
三重大学工学部電気電子工学科
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南部 信義
中部キレスト(株)
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中部キレスト (株)
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勝野 琢弥
三重大学工学部電気電子工学科
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黎 大兵
三重大学SVBL
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増田 規宏
三重大学工学部電気電子工学科
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劉 玉懐
三重大学SVBL
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桑野 範之
九州大学
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平松 和政
三重大・工
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三宅 秀人
三重大・工
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石賀 章
三重大・工
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Liu Y.
SVBL
-
柴田 智彦
三重大・工
著作論文
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- HVPE法によるAlN厚膜の作製
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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