大西 孝 | 三重大学工学部電気電子工学科

スポンサーリンク

概要

• 大西 孝の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 三重大学工学部電気電子工学科の論文著者

関連著者

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

もっと見る 閉じる

著作論文

• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

スポンサーリンク