田中 光浩 | 日本ガイシ

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概要

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関連著者

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 平松 和政

  三重大 工

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 小田 修

  日本ガイシ(株)

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三好 実人

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 竹内 正男

  玉川大学工学部

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ株式会社

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ

• 神保 孝志

  三重大学電気電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• Jimbo T

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• アルルクマラン サブラマニアム

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Arullkumaran Subramaniam

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 竹内 正男

  玉川大・工

• ARULKUMARAN Subramaniam

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 市村 幹也

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 今西 雄一郎

  日本ガイシ(株)

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ(株)

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 藤盛 敬雄

  豊橋技術科学大学

• 市村 幹也

  日本ガイシ(株)

• 今西 雄一郎

  日本ガイシ

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 浅野 健太

  名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター

• 柴田 智彦

  三重大学工学部電気電子工学科

• 坂井 正宏

  日本ガイシ株式会社

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ株式会社

• 浅野 健太

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 桑野 範之

  九州大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 今西 敦

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 今西 敦

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 平松 和政

  三重大学 大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学 大学院工学研究科

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 三宅 秀人

  三重大工

• 小田川 裕之

  東北大学電気通信研究所

• 山之内 和彦

  東北大学電気通信研究所

• 小田川 裕之

  東北大通研

• 山之内 和彦

  東北大通研

• 山之内 和彦

  東北大学 電気通信研究所

• 竹内 正男

  東北大通研

• 平松 和政

  三重大・工

• 平松 和政

  三重大工

• 藤盛 敏雄

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 三宅 秀人

  三重大・工

• 竹内 正男

  東北大学電気通信研究所

• 石賀 章

  三重大・工

• Liu Y.

  SVBL

• 柴田 智彦

  三重大・工

• 山之内 和彦

  東北大 通研

• 角谷 茂明

  日本ガイシ

• 毛利 充宏

  日本ガイシ

• 古田 明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 三宅 秀人

  三重大学電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学電気電子工学科

• 小田川 裕之

  東北大 通研

• 堀尾 保文

  日本ガイシ株式会社 機能部品研究所

• 坂本 映美

  玉川大・工

• 竹内 正男

  東北大 通研

• 田中 光浩

  東北大通研

• 田中 光浩

  東北大学電気通信研究所

• 田中 光浩

  東北大 通研

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著作論文

• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• OE6 ランガサイト基板のNSPUDTカット(SAWデバイス)
• ランガサイト基盤のNSPUDTの特性
• 浮き電極型一方向性変換器を用いたIF用SAWフィルタ
• OE2 2重回転YカットLa_3Ga_5SiO_基板のNSPUDT方位(SAWデバイス,口頭発表)
• ランガサイト基板のSAW反射特性
• OF6 Li_2B_4O_7基板のNSPUDTカットを用いた低損失SAWフィルタ(SAWデバイス)
• NSPUDT基板上のグループ型方向性反転電極構成法
• NSPUDT基板の方向性反転電極構成法

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