NSPUDT基板上のグループ型方向性反転電極構成法
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概要
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基板の異方性と電極の反射を積極的に利用したSAW一方向性変換器(NSPUDT)は,通常の対称電極構造のIDTで一方向性動作が得られる[1].しかし,難点は送受波に同じ構造のIDTを用いた場合,順方向を向かい合せることができないことで,この問題を解決するためには受波側IDTの方向性を何らかの方法で反転する必要がある.先に我々は,NSPUDT板上で送受の順方向が向かい合ったIDTを,同一電極材料,同時作製プロセスで実現可能な方向性反転電極(RDT:Reversal of Directivity Transducer)構成法を提案した.本稿では,最小電極幅がλ/4で,しかも一回のプロセスで作製可能なグループ型RDT構成法を新たに提案すると共に,これを用いたST X+25°水晶基板上の低損失フィルタの試作実験結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
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