陽極酸化アルミナレジスト膜を用いたサブミクロン電極の作製と弾性表面波デバイスへの応用
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概要
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デバイスの高周波化に伴う超徴細電極の作製法として有効である、陽極酸化アルミナレジスト膜を用いた電極作製プロセスを示している。本方法は、非常に薄いフォトレジスト或いは電子線レジストを用いて微細パターンを露光現象した後、露出した金属膜の表面を陽極酸化などにより、エッチング液に侵されにくい誘電体酸化膜に変化させ、この誘電体膜をレジスト膜として用いてエッチングを行うものである。本方法を用いると、露光の際のレジストは耐エッチング性のものである必要はなく膜厚を非常に薄くでき、微細パターン作製が可能となる。本方法についての検討及びこの電極を用いたGHz帯の弾性表面波デバイスについて述べており、0.1μmの線幅のAl電極を作製している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-18
著者
-
小田川 裕之
東北大学電気通信研究所
-
山之内 和彦
東北大学電気通信研究所
-
我妻 康夫
東北大学電気通信研究所
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
-
山本 圭一
東北大学電気通信研究所
-
目黒 敏靖
東北大通研
-
我妻 康夫
東北大通研
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