三好 実人 | 日本ガイシ株式会社研究開発本部

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概要

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• 同名の論文著者
• 日本ガイシ株式会社研究開発本部の論文著者

関連著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 三好 実人

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  三重大学電気電子工学科

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Jimbo T

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 小田 修

  日本ガイシ(株)

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ株式会社

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ

• アルルクマラン サブラマニアム

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Arullkumaran Subramaniam

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 市村 幹也

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 市村 幹也

  日本ガイシ(株)

• ARULKUMARAN Subramaniam

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ(株)

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 今西 敦

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ株式会社

• 今西 敦

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

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著作論文

• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
• 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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