坂井 正宏 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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概要
関連著者
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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小田 修
日本ガイシ株式会社
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神保 孝志
名古屋工業大学
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田中 光浩
日本ガイシ
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小田 修
日本ガイシ(株)
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三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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勝川 裕幸
日本ガイシ株式会社
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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三好 実人
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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勝川 裕幸
日本ガイシ
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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ARULKUMARAN Subramaniam
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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柴田 智彦
日本ガイシ
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柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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浅野 健太
名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター
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ハオ マオシェン
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
浅野 健太
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
著作論文
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)