SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
小田 修
日本ガイシ株式会社
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
浅野 健太
名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター
-
Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
浅野 健太
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
小田 修
日本ガイシ(株)
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