100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
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概要
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MOVPE法を用い,100mm径c面サファイア基板上Al_<0.26>Ga_<0.74>N/GaN HEMT構造エピウェーハを作製した.作製したウェハについては,膜厚ならびにAl組成の面内均一性が確認された.面内シート抵抗の平均値は569.4Ω/sqであり,その標準偏差は143Ω/sq(2.5%)であった.室温でのホール効果測定の結果,電子移動度1320cm^2/Vs,シートキャリア濃度8.4×10^<12>/cm^3という結果が得られた.HEMTデバイスを試作し,その特性を評価したところ,ゲート長2.0μm,ゲート幅15.0μmのデバイスにて,最大相互コンダクタンス200mS/mm, 最大電流534mA/mmという結果が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-24
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
神保 孝志
三重大学電気電子工学科
-
三好 実人
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
-
アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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