神保 孝志 | 三重大学電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 神保 孝志

  三重大学電気電子工学科

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• Jimbo T

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 曽我 哲夫

  名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻

• 三好 実人

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ株式会社

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ

• 小田 修

  日本ガイシ(株)

• アルルクマラン サブラマニアム

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Arullkumaran Subramaniam

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 大来 英之

  沖電気工業株式会社研究開発センタ

• 鎌田 直樹

  名古屋工業大学工学研究科

• 加藤 正博

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 見田 充郎

  沖電気工業

• 見田 充郎

  沖電気工業株式会社 研究開発本部

• 林 靖彦

  名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻

• 佐野 芳明

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 林 靖彦

  名古屋工業大学

• ARULKUMARAN Subramaniam

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 山田 朋幸

  沖電気工業(株)研究開発本部

• 鷺森 友彦

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 海部 勝晶

  沖電気工業研究開発本部

• 松井 慎一

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Hao Maosheng

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 青山 隆史

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 佐野 芳明

  沖電気工業

• 槇田 毅彦

  沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体

• 大来 英之

  沖電気工業

• 海部 勝晶

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 青山 隆史

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 海部 勝晶

  沖電気工業株式会社

• 石井 基範

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石井 基範

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• Rusop M.

  名古屋工業大学都市循環システム工学専攻

• Rahman M.

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• Rusop M

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• Rusop Mohamad

  Department Of Environment Technology And Urban Planning Nagoya Institute Of Technology

• 槙田 毅彦

  沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 石井 基範

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター

• 槙田 毅彦

  沖電気工業

• Rusop Mohamad

  名古屋工業大学都市循環システム工学専攻

• 池田 義人

  松下電器産業

• 梅野 正義

  中部大学工学部電子工学科

• 辻 俊博

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 梅野 正義

  中部大学

• 諏澤 寛源

  名古屋工業大学都市循環システム工学専攻

• 平松 和政

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 田口 裕規

  名古屋工業大学

• Rahaman Md.Mosaddeq-ur

  名古屋工業大学工学部電気情報工学科

• 槇田 毅彦

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 梅野 正義

  中部大学工学部

• 辻 俊博

  名古屋工業大学都市循環システム工学専攻

• 槇田 毅彦

  沖電気工業株式会社研究開発センタ

• 辻 俊博

  名古屋工業大学

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著作論文

• Theoretical Performance Study of n-TiO2/p-CuInSe2 Solar Cell and Its Modification for Improved Efficiency
• 2次元流動を考慮した液相成長のシミュレーション(セッション2)
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Si基板上にSeS_2を用いて接着した高品質GaAs薄膜の作製とそのデバイス応用
• Structural and electrical properties aof amorphous Carbon Nitride films from camphoric Carbon
• Diamond-like Carbon thin films deposited in ambient Helium gas : structural and electrical properties
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
• 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のヘテロエピタキシーとデバイス応用

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