MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• MOCVD法により、4インチSi基板上へAIGaN/AlN中間層およびGaN/AlN多層膜を介してGaNを成長した。 AlGaN/AIN 中間層膜厚依存性を調べたところ、中間層膜厚の増加と共にGaN表面のピット数が減少し、GaN/AlN多層膜の周期性を改善することがわかった。中間層をAIGaN/AIN(40/8nm)として膜厚1μmのGaNを成長したところ、表面にクラックは全く観察されず、GaNのX線ロッキングカーブ半値幅は800 arcsecという比較的狭い値が得られた。さらにAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し、室温下でホール効果測定を行ったところ、シートキャリア密度1.1〜1.4×10^<13>cm^<-2>、移動度900〜1080 cm^2/V・s という高い値が得られた。さらにこの試料を用いて高電子移動度トランジスター(HEMT)を作製した。試作した4インチSi基板上AlGaN/GaN HEMT (ゲート長2μm)の特性を評価したところ、最大相互コンダクタンスg_<mmax>は142 mS/mm、最大ドレイン-ソース電流I_<DSmax>は395 mA/mmという良好な特性を得た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-09-26

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 加藤 正博

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 神保 孝志

  三重大学電気電子工学科

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 松井 慎一

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Hao Maosheng

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 青山 隆史

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Jimbo T

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 青山 隆史

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

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