100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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実用的且つ高出力のGaN系電子デバイスの実現という観点から,100mm径サファイア上への高AI組成Al_XGa_<1-x>N/GaN(0.26≦X_<A1>≦0.70)HEMTエピの成長ならびにデバイス試作を試みた.X_<A1>=0.52としたウェハにおいて,シート抵抗約387Ωcmおよびその面内分布1.6%以内といういずれも最小の値が得られた.作製したエピウェハ上に試作したHEMTデバイスはいずれも良好なピンチオフ特性を示した.HEMTの最大ドレイン電流密度はA1組成の増加に伴い増加する事を示し,シートキャリア密度がA1組成の増加に伴い増加するという挙動に一致した.ゲート長2μm,ゲート幅15μmとしたAl_<0.52>Ga_<0.48>N/GaN HEMTデバイスにおいて,最大ドレイン電流密度1033mA/mm,最大相互コンダクタンス228mS/mmという良好な特性を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-12
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
勝川 裕幸
日本ガイシ株式会社
-
神保 孝志
三重大学電気電子工学科
-
三好 実人
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
-
小田 修
日本ガイシ株式会社
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
ARULKUMARAN Subramaniam
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
勝川 裕幸
日本ガイシ
-
Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
小田 修
日本ガイシ(株)
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