段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化

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概要

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• 2003-09-25

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社

• 油利 正昭

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

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