石田 昌宏 | 松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
著作論文
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
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- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)