石田 昌宏 | 松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

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概要

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関連著者

• 石田 昌宏

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 今藤 修

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 油利 正昭

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 伊藤 国雄

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 今藤 修

  松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部

• 伊藤 国雄

  松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 伊藤 国雄

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 折田 賢児

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 杉野 隆

  大阪大学大学院工学研究科

• 折田 賢児

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 吉川 昭男

  松下電子工業株式会社 電子総合研究所

• 吉川 昭男

  松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所

• 吉川 昭男

  松下電子工業

• 橋本 忠朗

  松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所

• 寺越 喜多美

  大阪大学 工学部

• 杉野 隆

  大阪大学 工学部

• 杉野 隆

  大阪大学 大学院工学研究科

• 杉野 隆

  大阪大学工学部

• 中村 真嗣

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

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著作論文

• 30p-M-17 溝型構造上への再成長によるGaNの貫通欠陥密度の低減
• 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
• 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
• 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
• 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減

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