伊藤 国雄 | 松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所の論文著者

関連著者

• 伊藤 国雄

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 伊藤 国雄

  松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部

• 伊藤 国雄

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 今藤 修

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 油利 正昭

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 今藤 修

  松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 折田 賢児

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 吉川 昭男

  松下電子工業株式会社 電子総合研究所

• 吉川 昭男

  松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所

• 吉川 昭男

  松下電子工業

• 杉野 隆

  大阪大学大学院工学研究科

• 折田 賢児

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 中村 真嗣

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

• 橋本 忠朗

  松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所

• 寺越 喜多美

  大阪大学 工学部

• 杉野 隆

  大阪大学 工学部

• 上野 明

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 稲葉 雄一

  松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所

• 鬼頭 雅弘

  松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所

• 石野 正人

  松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所

• 石田 昌弘

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 中村 真嗣

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石野 正人

  松下電子工業

• 中村 真嗣

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 杉野 隆

  大阪大学 大学院工学研究科

• 杉野 隆

  大阪大学工学部

• 高山 徹

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石黒 永孝

  松下電子工業株式会社 ディスクリート事業部

• 中西 秀行

  松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所

• 高山 徹

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 馬場 孝明

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 上村 真一

  松下電子工業株式会社ディスクリート事業部

• 茶藤 哲夫

  松下電子工業株式会社ディスクリート事業部

• 東井 虎土

  松下電子工業株式会社ディスクリート事業部

• 広瀬 正則

  松下電子工業株式会社ディスクリート事業部

• 山口 正之

  松下電子工業株式会社ディスクリート事業部

• 永井 秀男

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 岩元 伸行

  松下電子工業株式会社ディスクリート事業部

• 中山 久志

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 一色 美名子

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 中西 秀行

  松下電子工業

• 馬場 孝明

  松下電子工業株式会社技術本部

もっと見る 閉じる

著作論文

• 30p-M-17 溝型構造上への再成長によるGaNの貫通欠陥密度の低減
• GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
• 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
• 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
• AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
• 集積回路内蔵型高速ホログラムユニット
• 超薄形光ピックアップ用LDH(レーザ・受光素子・ホログラム)ユニット
• 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
• 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
• GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
• 高出力特性1.55μm帯マストランスポート回折格子型(MTG)DFBレーザ
• C-4-18 InAsP埋め込み回折格子型狭線幅DFBレーザのFM変調特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク