中村 真嗣 | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

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• 松井 康

  松下電器産業(株) 半導体研究センター

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• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

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• 今藤 修

  松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所

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著作論文

• GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
• InAsP埋め込み回折格子型1.55μm帯λ/4位相シフト DFBレーザのスペクトル線幅特性
• MQW-EA変調器の低変調歪化設計
• GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
• InAsP吸収性回折格子型利得結合 DFBレーザの広温度範囲低変調歪特性
• C-4-30 転写プロセスによって接着されたInGaAsPフィルタを有する1.55μmパスバンドPD

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