折田 賢児 | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株)
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折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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薄田 学
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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折田 賢児
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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中村 真嗣
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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松下電子工業(株)電子総合研究所
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中村 真嗣
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中村 真嗣
松下電子工業(株)電子総合研究所
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)光ディスク開発センター
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松下電器産業(株)光ディスク開発センター
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山本 和久
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山本 和久
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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水内 公典
パナソニック四国エレクトロニクス(株)デバイスプロダクツビジネスユニット
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水内 公典
松下電器産業(株)avコア技術開発センター
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横山 敏史
パナソニック
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森川 顕洋
松下電器産業(株)メディア制御システム開発センター
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杉田 知也
松下電器産業(株)メディア制御システム開発センター
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北岡 康夫
松下電器産業(株) メディア制御システム開発センター
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横山 敏史
松下電器産業(株) メディア制御システム開発センター
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笠澄 研一
松下電器産業(株) メディア制御システム開発センター
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高山 徹
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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持田 篤範
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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瀧川 信一
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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清水 裕一
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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森川 顕洋
パナソニック四国エレクトロニクス(株)デバイスプロダクツビジネスユニット
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瀧川 信一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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山本 和久
松下電器産業
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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持田 篤範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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清水 裕一
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック(株)
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笠澄 研一
松下電器産業(株)
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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春日井 秀紀
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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萩野 裕幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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山中 一彦
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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瀧川 信一
パナソニック株式会社 デバイス社 半導体デバイス開発センター
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 分布ブラッグ反射型半導体レーザーと導波路型波長変換素子を用いた高出力SHG青紫色レーザー
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 高出力半導体レーザー : 光ディスクを支える強心臓
- 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)