段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
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概要
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段差上へGaNを再成長することで、再成長GaN中に低欠陥領域が形成されることを、断面TEMの観察により見出した。段差上においてはc面以外の成長面を出しながら成長が行われることに対応して、貫通欠陥がその伝播方向を変えることを見出した。段差上へのGaNの再成長により低欠陥領域が形成されることを利用し、周期的ストライプ構造へのGaNの再成長を2回繰り返すことで、GaN表面の全面に渡ってエッチピット密度を6.3×10^6cm^<-2>まで低減させることに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-22
著者
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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