GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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我々は、GaAsよりも破壊電界強度が一桁高いGaNを光伝導層に用いた大口径型の光伝導スイッチを作製し、紫外光励起によるテラヘルツ電磁波の発生を確認した。光伝導層の高抵抗化のためGaNには炭素(C)をドーピングを行い、60MΩcm以上の高い抵抗率を得た。今回作製した光伝導スイッチから放射されたテラヘルツ波パルスのエネルギーは、500Vの印加電圧下で93.3pJ/pulseであった。また、テラヘルツ時間領域分光法で得たテラヘルツパルスのスペクトル波形は、0.1-0.2THzの周波数領域に強度ピークを有していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-20
著者
-
瀧川 信一
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
瀧川 信一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
今藤 修
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
Singh Brahm
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
福島 康之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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