ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界を打破する半導体材料としてSiC、GaN、Diamondなどのワイドバンドギャップ半導体が研究されている。これらの半導体を用いたMOS-FETでは高温、高電圧下で安定な動作が要求され、特に、ゲートリーク電流の抑制が非常に重要になっている。ゲート絶縁膜には、広いバンドギャップと同時に高い誘電率も要求される。我々はこれまで、AlOにSiを添加することでリーク電流を抑制できることを報告してきた。今回、AlSiO膜にNを添加することにより250℃以上の高温領域においてもリーク電流を抑制できる効果を確認した。この結果は、AlSiON膜が、高温で動作するワイドギャップ半導体用のゲート絶縁膜へ応用できる可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
奥村 幸彦
舞鶴高専専攻科
-
小松 直佳
大阪大学大学院工学研究科
-
田中 裕崇
大阪大学大学院工学研究科
-
松之内 恵子
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大 大学院工学研究科
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