触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
金属上に様々な温度においてBCN薄膜を作製し、BCN薄膜のフィールドエミッション特性を評価した。シリコン基板上のBCN薄膜の成長に比べ、触媒として鉄(Fe)を用いた場合、成長速度の促進が観測された。BCN薄膜の成長温度を変え、表面形状を観察したところ成長温度の低下とともに薄膜表面の粗さは増大した。温度以外の成長条件を同じにしても、成長温度の低下につれてBCN薄膜への炭素の取り込み量は増加した。Feの触媒効果を利用してBCN薄膜をガラス基板上に200℃で堆積させ、フィールドエミッション特性を評価したところ5.1V/μmという閾値での電子放出を実現した。
- 2005-12-15
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
岡田 邦孝
大阪大学大学院工学研究科
-
岡本 幸一
舞鶴工業高等専門学校
-
和田 優
舞鶴工業高等専門学校
-
和田 優
舞鶴工業高等専門学校電子制御工学科
関連論文
- メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BCN薄膜をコーティングしたカーボンナノチューブのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
- 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 科学解説 BN,BCN薄膜のフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- 窒化ホウ素薄膜コーティングしたカーボンブラックエミッタからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ジュニアテニス選手の視機能と球技能力に関する研究
- BNを成膜したCNTエミッタの電界放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- リンドープダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- MEMS配線用の電磁界Cuめっき技術 (マテリアルフォーカス:エレナノ MEMSデバイス,モジュールに用いられるマテリアルとその加工・洗浄・表面処理)
- 繊維状イオン交換膜を用いた有機酸センシング(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電磁場Cuめっきを用いた環境発電MEMS用マイクロコイルの作製プロセス(センサーデバイス,MEMS,一般)
- Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術)
- Pt-Ir触媒によるギ酸アンモニウム燃料電池のアノード酸化反応の向上
- 先端半導体デバイスの洗浄技術における電気化学
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- BNナノ構造からのフィールドエミッション特性
- 表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
- 洗浄技術の動向と今後
- 多孔質イオン交換膜を用いたアミノ酸センシング評価
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- プラズマ処理を施したカーボンナノファイバーからの電界放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- アルミニウムシリケート(AlSiO)絶縁薄膜の特性評価
- リンドープダイヤモンド薄膜の電界放出機構
- 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換膜を用いたイオンセンシング評価 : 無機イオン・アミノ酸センシング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 多孔質イオン交換膜を用いたイオンセンシング評価 : 無機イオン・アミノ酸センシング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ワイドバンドギャップ材料からの電子放出 (フィールドエミッションディスプレイ)