低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
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概要
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次世代ディスプレイとして電界電子放出を利用したディスプレイの開発が期待されている。我々は負性電子親和力を有する窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜を用い、電子放出特性の低閾値化を実現してきた。しかし、BCN薄膜をディスプレイの電子放出源とするには、ガラス基板上、将来的にはプラスチック基板上への低温成長が必要である。本論文では低温での成長として触媒を使った成長の促進が効果的であると考え、触媒金属として鉄を用い、様々な温度で成長したBCN薄膜の膜組成と電界電子放出特性の変化を検討した。その結果、200℃の低温で成長したBCN薄膜において、500℃の高温成長試料とほぼ同レベルの閾値電界強度5.1V/μmを達成した。
- 2006-03-10
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