レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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サファイア基板からGaN層を分離するレーザリフトオフ技術の開発を行った。レーザ照射強度を最適化することにより,2インチGaN層を分離することに成功した。更に,レーザリフトオフ技術と厚膜Auメッキ層を用いたデバイスプロセスを開発することにより,放熱性に優れた垂直電流注入型青色LEDを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
藤本 康弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田村 聡之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
藤本 康弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田村 聡之
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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