ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET

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概要

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• 2005-03-10

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 中澤 一志

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 中澤 一志

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

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