Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
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概要
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- 2006-09-28
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
見田 充郎
沖電気工業
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学
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関 昇平
沖電気工業
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
丸井 俊治
沖電気工業
-
佐野 芳明
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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