佐野 芳明 | 沖電気工業株式会社研究開発本部
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概要
関連著者
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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沖電気工業株式会社研究開発センタ
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沖電気工業株式会社研究開発センタ
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沖電気工業株式会社研究開発センタ
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沖電気工業株式会社研究開発センタ
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沖電気工業(株)研究開発本部
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丸井 俊治
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沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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神保 孝志
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沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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槙田 毅彦
沖電気工業
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沖電気工業株式会社研究開発本部
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沖電気工業株式会社研究開発センタ
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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玉井 功
沖電気工業
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Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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村上 浩一
筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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大野 雄高
名大工
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奥野 恒久
和歌山大シス工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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伊東 千尋
和歌山大シス工
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目良 裕
東大院工
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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須原 理彦
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山田 明
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上田 修
金沢工大
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本間 芳和
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沖電気
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富士通研
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赤澤 方省
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尾崎 信彦
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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和歌山大学大学院システム工学研究科
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松井 真二
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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牛窪 孝
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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前田 康二
東大、工
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松井 真二
Nec 基礎研
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前田 康二
東大 工
著作論文
- ナノ構造技術
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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- MOCVD選択成長による低オーミックコンタクト形成
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 高い相互コンダクタンスを有するリセスゲート窒化物半導体FET
- 無線システム用高出力GaN HEMTの開発 (ネットワーク特集)
- 次世代情報通信を支える高周波電力トランジスタ (21世紀のソリューション特集) -- (コンポーネント)
- GaAs IC用アニ-ル技術 (化合物半導体)