玉井 功 | 沖電気工業株式会社研究開発センタ
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概要
関連著者
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業
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玉井 功
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業
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丸井 俊治
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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佐野 芳明
沖電気工業
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
著作論文
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
- 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)