Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピタキシャル層とSi基板の界面(エピ基板界面)の状態を水銀プローブC-V測定によって評価できることを示す。またデバイスの熱抵抗低減を目的に、Si基板を60μm薄層化した結果、2GHz帯デバイスでは炭化シリコン基板上GaN-HEMTに匹敵する、出力電力48.8dBm(75.6W)、電力付加効率54.4%、熱抵抗2.76℃/Wを得た。また5GHz帯における評価についても、十分に適応可能な7.58W/mmの出力電力間と47.14dBm(51.8W)の出力電力特性を得た。
- 2009-11-12
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
関 昇平
沖電気工業
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
玉井 功
沖電気工業
-
丸井 俊治
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業
-
大来 英之
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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