森野 芳昭 | 沖電気工業株式会社研究開発センタ
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
玉井 功
沖電気工業
-
丸井 俊治
沖電気工業
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
佐野 芳明
沖電気工業
著作論文
- C-2-35 2GHz帯200W級高利得GaN-HEMTの開発(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高利得高効率電力増幅器用GaN-HEMT技術
- 高利得高効率電力増幅器用GaN-HEMT技術 (デバイス特集)