AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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AlGaN/GaN HFET を用いた高出力Single Pole Double Throw (SPDT)スイッチICを開発した。 GaN HFETをスイッチICに応用するためには、重要デバイスパラメータであるオン抵抗Ronの低減とオフ容量Coffの低減が必要である。シリコンをAlGaN層に拡散させるシリコンドーピング技術を確立し、コンタクト抵抗を1桁改善させることにより、Ronを低減させた。SiC基板に代わってAl_2O_3基板を適用することにより、Coffを低減させた。このHFETとWSiN抵抗を用いて、1段構成のSPDTスイッチICを設計・作製した。作製したスイッチICは、1GHzで、挿入損失0.26dB、アイソレーション27dBを示した。通過可能な信号電力は43Wと極めて高く、これはGaAsスイッチの10倍の値である。さらに、GaNの高耐圧特性を利用して回路構成の単純化することにより、チップサイズをGaAsスイッチICの40%まで縮小した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-12
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
神田 敦彦
松下電器産業
-
池田 義人
松下電器産業
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