田中 毅 | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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柳原 学
パナソニック株式会社
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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尹 榮
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業半導体研究センター
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高瀬 裕志
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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八幡 和宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株)
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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神保 孝志
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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皆川 克也
松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター
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信定 俊英
松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター
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宇治田 信二
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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勝野 元成
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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Li Ming.
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
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正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電器
著作論文
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 無極性a面AlGaN/GaNヘテロ接合におけるシートキャリア濃度制御(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化MMIC技術
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 AlGaN/AlNバッファを用いた高耐圧AlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
- C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ