八幡 和宏 | 松下電器産業半導体研究センター

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• 八幡 和宏

  松下電器産業半導体研究センター

• 八幡 和宏

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 平尾 孝

  (株)松下テクノリサーチ

• 田村 彰良

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 國久 武人

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 西辻 充

  松下電器産業半導体研究センター

• 平尾 孝

  松下電器産業(株)中央研究所

• 北川 雅俊

  松下電器産業

• 平尾 孝

  松下電器産業 中研

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田村 彰良

  松下電器産業半導体研究センター

• 澁谷 宗裕

  松下電器産業中央研究所

• 國久 武人

  松下電子工業

• 北川 雅俊

  松下電器産業(株)中央研究所

• 澁谷 宗裕

  松下電器産業

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著作論文

• 低温スパッタリング法による高誘電体SrTiO_3薄膜容量素子のGaAs-ICプロセスへの適用
• C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
• 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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