八幡 和宏 | 松下電器産業半導体研究センター
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概要
関連著者
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八幡 和宏
松下電器産業半導体研究センター
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八幡 和宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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平尾 孝
(株)松下テクノリサーチ
著作論文
- 低温スパッタリング法による高誘電体SrTiO_3薄膜容量素子のGaAs-ICプロセスへの適用
- C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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