低温スパッタリング法による高誘電体SrTiO_3薄膜容量素子のGaAs-ICプロセスへの適用
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概要
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大容量の容量素子の集積化、小型化を目的として、高誘電体材料であるSrTiO3薄膜を低温Fスパッタリング法により、初めて化合物半導体プロセスへ適用した。本研究は、まず低温堆積SrTiO3膜の基礎特性を把握し、同時に本低温スパッタリングによる能動素子への影響を検討した。また容量素子上層金属として耐熱性に優れる金属を見出し、プロセスへの適用を行った。作成したSrTiO3容量素子は高周波特性に優れ、L帯でのICへの適用が可能であることが確認された。また1石アンプ構成のICにおいて、本容量素子を集積化することにより従来のチップ部品構成に比べゲインが約8dB向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
-
平尾 孝
(株)松下テクノリサーチ
-
田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
國久 武人
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
-
平尾 孝
松下電器産業(株)中央研究所
-
北川 雅俊
松下電器産業
-
平尾 孝
松下電器産業 中研
-
田村 彰良
松下電器産業半導体研究センター
-
八幡 和宏
松下電器産業半導体研究センター
-
澁谷 宗裕
松下電器産業中央研究所
-
八幡 和宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
國久 武人
松下電子工業
-
北川 雅俊
松下電器産業(株)中央研究所
-
澁谷 宗裕
松下電器産業
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