酒井 啓之 | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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吉田 隆幸
松下電器 半導体研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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吉田 隆幸
松下電子工業株式会社
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吉田 隆幸
松下電器産業(株)半導体研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電子工業(株)電子総合研究所
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高橋 和晃
松下電器産業株式会社ブロードバンドコミュニケーション開発センター
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佐川 守一
松下技研(株)
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藤田 卓
松下電器産業 先端技研
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高橋 和晃
松下技研 移動体通信研
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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高橋 和晃
松下電器産業株式会社
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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吉田 隆幸
松下電器産業(株)
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井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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吉田 隆幸
松下電器産業
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福田 健志
パナソニック 先端技研
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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河井 康文
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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河井 康史
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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藤田 卓
松下電器産業株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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八幡 和宏
松下電器産業半導体研究センター
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高橋 和晃
松下電器産業(株)ネットワーク開発センター
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佐川 守一
松下電器産業株式会社
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八幡 和宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社
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阪本 卓也
京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
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佐藤 亨
京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
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可児 佑介
京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
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井上 謙一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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阪本 卓也
京都大学大学院 情報学研究科 通信情報システム専攻
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柳原 学
パナソニック株式会社
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宇治田 信二
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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藤田 卓
松下技研(株)
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高橋 和晃
松下技研(株)
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藤田 卓
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
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高橋 和晃
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
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佐川 守一
松下電機産業(株)AV&CC開発センター
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酒井 啓之
松下電機産業(株)半導体研究センター
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井上 薫
松下電機産業(株)半導体研究センター
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吉田 隆幸
松下電機産業(株)半導体研究センター
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佐藤 亨
京都大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
海原 一裕
パナソニック株式会社
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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佐藤 亨
京都大学
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Seto Tri
京大生存研
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佐藤 亨
京大工
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田邊 充
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
佐藤 亨
京大生存研:bppt
-
井上 謙一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
佐藤 亨
Bppt
-
松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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森川 治
松下電機産業(株)半導体研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社
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Seto Tri
京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
著作論文
- B-2-14 多点同時送信アレイを用いたスペクトル拡散UWBレーダによる高速立体形状イメージング(B-2.宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- マイクロバンプボンディング技術を用いたマイクロ波/ミリ波IC
- C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- B-2-35 スペクトル拡散UWBレーダを用いたSEABED法による高速立体イメージングの実験検証(B-2. 宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- BCB誘電体を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
- HFET/HBTによる30GHzダウンコンバータMFIC
- MBB実装を用いたKa帯ミキサIC
- ミリ波フリップチップICモジュ-ル (特集 高周波実装技術)
- C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- UVリソグラフィーを用いたサブクォーターミクロンゲート AlGaAs/InGaAs HEMT
- BCB誘電体膜を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
- フリップチップ実装を用いたミリ波帯ICの開発 (特集 高速信号実装技術)
- フリップチップを用いたミリ波帯ICの開発
- MBB実装を用いたK帯MFIC増幅器
- フリップチップボンディングを用いた新しいミリ波IC「MFIC」の基礎検討
- C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)